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海太半导体两举措提升三代DDR4产品良率

发布时间:2019-12-17 17:37    浏览次数:【字号:默认 特大

  为有效提升产品良率,提升企业竞争力,海太半导体从两方面着手努力提升三代DDR4生产质量。一是改善测试头接触类型,将PIN针型变更为片式插槽型,有效避免测试基板测试头PIN针的重复损坏,保证产品收率。二是改善单个单品测试点位托板结构,通过减薄测试点位托板,使产品锡球充分接触测试,从而提升初期测试产品识别率,最终提升产品收率。通过以上举措,海太半导体DDR4产品良率已从96%提升至97.69%。

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